封裝方式	傳統(tǒng)封裝 QFP、BGA）	晶圓級(jí)芯片尺寸封裝 Wafer Level CSP
優(yōu)點(diǎn)	技術(shù)成熟 制程穩(wěn)定	尺寸小 成本低 簡化制程 可達(dá)Fine Pitch要求
缺點(diǎn)	無法達(dá)到未來細(xì)間距要求 制程較復(fù)雜 完成的IC成本高	I/O數(shù)少A(<100)

WAFER LEVEL-CSP Flux鋼板規(guī)格設(shè)計(jì) – 傳統(tǒng)型

PAD Opening 位置

• PAD Opening設(shè)計(jì)： X1: 上開口設(shè)計(jì)，X2=下開口設(shè)計(jì) / X2 – X1 = 2~6um(可設(shè)計(jì))
• Stencil Thickness (MF) : MF : 20~100um(可設(shè)計(jì))
• Tension (N): 20~34N(可指定)

WAFER LEVRL CSP - 植球鋼板規(guī)格設(shè)計(jì)

• PAD開孔設(shè)計(jì)： X1 開口尺寸視Solder Ball尺寸 ; X3 – X2 = 2~6um(可設(shè)計(jì))
• Stencil Thickness (CT): CT:15~30um(可設(shè)計(jì))
• Metal Foil Thickness (MF1 & MF2) : MF1 : 80~130um(可設(shè)計(jì)) ; MF2:200~250um(Metal or Polymer)
• Tension (N): 20~34N(可指定)

電鑄版內(nèi)壁比較圖

Compared 日本Source Stencil and 正中電鑄版 Opening Dimension.

正中電鑄版 had better performance than 日本Source.

Compared 日本Source Stencil and 正中電鑄版 之 落錫量分析

正中電鑄版 had better performance than 日本Source.

Stencil Application and surface technology

Surface Treatment

Flux鋼板規(guī)格設(shè)計(jì) – 正中Alpha StenSol (Design for Liquid Flux)

PAD 位置開孔

• PAD開孔設(shè)計(jì)： X1 開口尺寸視Flux下墨量決定尺寸 ; X3 – X2 = 2~6um(可設(shè)計(jì))
• Alpha Mesh Thickness (CT): CT:15~30um(可設(shè)計(jì))
• Metal Foil Thickness (MF) : MF : 20~100um(可設(shè)計(jì))
• Tension (N): 20~34N(可指定)

半導(dǎo)體掃錫球電鑄版技術(shù)規(guī)范

底層
最大圖形設(shè)計(jì) Biggest Design Size	6吋~12吋 晶圓
材質(zhì)：Material	NiCo合金
總長精度(%)：Accumulate Accuracy：	+/-0.01%L
版厚區(qū)間(μm)：Thickness Range	20~200
版厚精度<圖形范圍內(nèi)>(μm)：Thickness Accuracy	20~50μm(+/-3μm) 51~100μm(+/-10μm) 101~200μm(+/-20μm)
最小開口孔徑(μm)：Minimum Aperture	50μm
最小開口間距(μm)：Minimum Space	50μm
開口精度(μm)：Opening Aperture Accuracy	+/-3μm(版厚區(qū)間：20~50μm) +/-5μm(版厚區(qū)間：51~100μm) +/-5μm(版厚區(qū)間：101~200μm)
寬厚比：Aspect Ratio	≦1:1.2

架橋?qū)?/th>
材質(zhì)：Material	高分子/NiCo合金
單邊對(duì)位寬度(μm)：Alignemnet Space：	30μm/side
版厚精度(圖形范圍內(nèi))：Thickness Accuracy	高分子：+/-3μm NiCo合金：+/-10μm
最小架橋面積(μm)：Minimum Support Area	40μm×40μm
最小架橋?qū)挾?μm)：Minimum Spport Width	40μm×40μm

成品
寬厚比：Aspect Ratio	≦1:1.2
張力(N)：Tension	20~34

正中電鑄加工+ 高分子膜 制程優(yōu)點(diǎn)

• 電鑄成形加工之鋼版，其累積誤差控制及膜厚較為精準(zhǔn)。
• 支撐點(diǎn)采高分子膜，其平坦度較佳，膜厚均勻度可控制在3μm以下。
• 制程采電鑄制程，材質(zhì)為鎳鈷合金，使用壽命較長。
• 高分子膜面積平均布滿，印刷時(shí)不會(huì)因單點(diǎn)硬度不均，造成被印物壓損。

圖示說明

• 高分子膜距開孔距X值為50~500μm(依產(chǎn)品設(shè)計(jì)而定)

圖示說明

• 高分子膜距開孔距X值為50~500μm(依產(chǎn)品設(shè)計(jì)而定)